Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

LMG3422R030RQZR

Name: Texas Instruments LMG3422R030RQZR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG3422R030RQZR
Price: 112.53 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

595-LMG3422R030RQZR

Tillverk: Nr.:

LMG3422R030RQZR

Tillverk:

Texas Instruments

Beskrivning:

Styrdrivenheter 600-V 30-m? GaN FET with integrated driv LMG3422R030RQZT

Datablad:

LMG3422R030RQZR Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Texas Instruments LMG3422R030RQZR

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 12 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Ange kvantitet:

Minst: 2000 Flera: 2000

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2000)
	112,53 kr	225 060,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Texas Instruments
Produktkategori:	Styrdrivenheter
RoHS-direktivet:
Produkt:	Isolated Gate Drivers
Typ:	Half-Bridge
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	VQFN-54
Antal drivenheter:	1 Driver
Antal utgångar:	3 Output
Utgångsström:	1.2 A
Minimal matningsspänning:	7.5 V
Maximal matningsspänning:	18 V
Konfiguration:	Non-Inverting
Stigtid:	4 ns
Falltid:	21 ns
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Serie:	LMG3422R030
Förpackning:	Reel
Märke:	Texas Instruments
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	Not Available
Utvecklingskit:	LMG342X-BB-EVM
Ingångsspänning – max.:	18 V
Ingångsspänning – min.:	0 V
Logiktyp:	CMOS
Maximal förseningstid vid avstängning:	65 ns
Maximal förseningstid vid påslagning:	52 ns
Fuktkänsliga:	Yes
Produkttyp:	Gate Drivers
Rds på - Dräneringskällans resistans:	30 mOhms
Avstängning:	Shutdown
Fabriksförpackningskvantitet:	2000
Underkategori:	PMIC - Power Management ICs
Teknologi:	GaN
Handelsnamn:	GaN

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

LMG3422R030RQZR Datablad

PCN

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

LMG342xR030 GaN Field Effect Transistors (FETs)

Texas Instruments LMG342xR030 GaN Field Effect Transistors (FETs) come with an integrated driver and protection that enables designers to achieve new power density and efficiency levels in power electronics systems.