LMG3422R050RQZR

Texas Instruments
595-LMG3422R050RQZR
LMG3422R050RQZR

Tillverk:

Beskrivning:
Styrdrivenheter 600-V 50-m? GaN FET with integrated driv

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.
Denna produkt kräver eventuellt ytterligare dokumentation vid export från USA.

Tillgänglighet

Lager:
Ej på lager
Fabrikens ledtid:
12 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.
Minst: 2000   Flera: 2000
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2000)
85,14 kr 170.280,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Texas Instruments
Produktkategori: Styrdrivenheter
Leveransaviseringar:
 Denna produkt kräver eventuellt ytterligare dokumentation vid export från USA.
RoHS-direktivet:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
VQFN-54
1 Driver
1 Output
7.5 V
18 V
Non-Inverting
2.5 ns
21 ns
- 40 C
+ 125 C
LMG3422R050
Reel
Märke: Texas Instruments
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: Not Available
Fuktkänsliga: Yes
Produkttyp: Gate Drivers
Fabriksförpackningskvantitet: 2000
Underkategori: PMIC - Power Management ICs
Teknologi: GaN
Handelsnamn: GaN
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
3A001.A.2.A

LMG342xR050 600V 50mΩ GaN FETs

Texas Instruments LMG342xR050 600V 50mΩ GaN FETs with integrated driver and protection enable designers to achieve new power density and efficiency levels in power electronics systems. The LMG342xR050 integrates a silicon driver that enables switching speeds up to 150V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 20V/ns to 150V/ns, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance.