LMG3526R050RQSR

Texas Instruments
595-LMG3526R050RQSR
LMG3526R050RQSR

Tillverk:

Beskrivning:
Styrdrivenheter 650-V 50-m? GaN FET with integrated driv

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 1 940

Lager:
1 940 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
12 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2000)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
177,65 kr 177,65 kr
126,72 kr 1.267,20 kr
120,78 kr 12.078,00 kr
118,80 kr 29.700,00 kr
114,62 kr 57.310,00 kr
110,22 kr 110.220,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2000)
97,35 kr 194.700,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Texas Instruments
Produktkategori: Styrdrivenheter
RoHS-direktivet:  
GaN FET
SMD/SMT
VQFN-52
- 40 C
+ 125 C
LMG3526R050
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: Texas Instruments
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: PH
Ingångsspänning – max.: 18 V
Ingångsspänning – min.: 7.5 V
Fuktkänsliga: Yes
Produkttyp: Gate Drivers
Fabriksförpackningskvantitet: 2000
Underkategori: PMIC - Power Management ICs
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

LMG3526R050 650V GaN FET

Texas Instrument LMG3526R050 650V GaN FET with integrated driver and protection targets switch-mode power converters and enables designers to achieve new power density and efficiency levels. The LMG3526R050 integrates a silicon driver that enables switching speeds up to 150V/ns. TI offers integrated precision gate bias, resulting in higher switching SOA than discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers minimal ringing and clean switching in hard-switching power supply topologies. The adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 15V/ns to 150V/ns. This control can be used to control EMI and actively optimize switching performance.