TPS1100D

Name: Texas Instruments TPS1100D
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-TPS1100D
Price: 28.27 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

595-TPS1100D

Tillverk: Nr.:

TPS1100D

Tillverk:

Texas Instruments

Datablad:

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Lager:: 2 660 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 12 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Tillverk: Artikelnummer:

Emballage:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Tillgänglighet:

På lager

Pris:

17,49 kr

Min:

Tillverk:

Texas Instruments

Tillverk: Nr.:

TPS1100DR

Beskrivning:

MOSFET:er Single P-Ch Enh-Mode MOSFET A 595-TPS110 A 595-TPS1100D

Jämför med aktuell del

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Texas Instruments
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	SOIC-8
Transistorns polaritet:	P-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	15 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	1.6 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	180 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 15 V, 2 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	1.5 V
Qg - Gate-laddning:	5.45 nC
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	791 mW
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Tube
Märke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	MX
Falltid:	10 ns
Transkonduktans framåt - Min:	2.5 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	10 ns
Serie:	TPS1100
Fabriksförpackningskvantitet:	75
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 P-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	13 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	4.5 ns
Enhetens vikt:	74 mg