XSM6K361NW,LXHF

Name: Toshiba XSM6K361NW,LXHF
Brand: Toshiba
SKU: 757-XSM6K361NWLXHF
Price: 9.36 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

757-XSM6K361NWLXHF

Tillverk: Nr.:

XSM6K361NW,LXHF

Tillverk:

Toshiba

Beskrivning:

MOSFET:er N-ch MOSFET, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm at 10V, DFN2020B(WF)

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

XSM6K361NW,LXHF Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Toshiba XSM6K361NW,LXHF

På lager: 2 009

Lager:: 2 009 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	9,36 kr	9,36 kr
	5,76 kr	57,60 kr
	3,94 kr	394,00 kr
	3,09 kr	1.545,00 kr
	2,65 kr	2.650,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	2,24 kr	6.720,00 kr
	2,07 kr	12.420,00 kr
	1,99 kr	17.910,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Toshiba
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	DFN-6
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	100 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	3.5 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	69 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.5 V
Qg - Gate-laddning:	3.2 nC
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	4.3 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	JP
Distributionsland:	JP
Ursprungsland:	JP
Falltid:	7 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	9 ns
Serie:	U-MOSVIII-H
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	16 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	21 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

XSM6K361NW,LXHF Datablad

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs are 100V N-channel power MOSFETs ideal for automotive applications. These devices feature low on-resistance with proprietary technology using a Cu connector. The Toshiba U-MOSVIII-H Power MOSFETs have a narrowed gate threshold voltage range of 2.5V to 3.5V, which reduces switching time tolerance.