W632GG6NB-11

Winbond
454-W632GG6NB-11
W632GG6NB-11

Tillverk:

Beskrivning:
DRAM 2Gb DDR3 SDRAM, x16, 933MHz

Livscykel:
Verifiera statusen med fabriken:
Informationen om livscykel är oklar. Erhåll ett anbud för att verifiera tillgängligheten för detta artikelnummer från tillverkaren.
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 104

Lager:
104 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
53 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Partier som är större än 104 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.
Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.
Minst: 1   Flera: 1   Maximalt: 104
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
47,30 kr 47,30 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Winbond
Produktkategori: DRAM
RoHS-direktivet:  
SDRAM - DDR3
2 Gbit
16 bit
933 MHz
VFBGA-96
128 M x 16
20 ns
1.425 V
1.575 V
0 C
+ 95 C
W632GG6NB
Tray
Märke: Winbond
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: TW
Fuktkänsliga: Yes
Monteringsstil: SMD/SMT
Produkttyp: DRAM
Fabriksförpackningskvantitet: 198
Underkategori: Memory & Data Storage
Strömstyrka - Max: 160 mA
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

DRAM Product Portfolio

Winbond DRAM Product Portfolio consists of Mobile RAM and Specialty DRAM for consumer, communication, peripheral, industrial, and automobile markets. Specialty DRAM features high performance and a high speed for a complete solution. The SDR, DDR, DDR2, and DDR3 feature support for industrial and automotive applications with AEC-Q100, TS16949, ISO9001/14001, OHSAS18001 certificates. Winbond provides professional advice to KGD customers, including SiP package bonding and power/thermal, DRAM simulation, and wafer level on speed tests.