FFSB3065B-F085

onsemi
863-FFSB3065B-F085
FFSB3065B-F085

Tillverk:

Beskrivning:
SiC-schottkydioder 650V 30A SIC SBD G EN1.5

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 572

Lager:
572 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
15 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 800)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
79,31 kr 79,31 kr
54,45 kr 544,50 kr
42,68 kr 4 268,00 kr
39,82 kr 19 910,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 800)
39,82 kr 31 856,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
onsemi
Produktkategori: SiC-schottkydioder
RoHS-direktivet:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
D2PAK-2
Single
30 A
650 V
1.38 V
120 A
40 uA
- 55 C
+ 175 C
FFSB3065B-F085
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: onsemi
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: CN
Pd - Effektavledning: 246 W
Produkttyp: SiC Schottky Diodes
Fabriksförpackningskvantitet: 800
Underkategori: Diodes & Rectifiers
Handelsnamn: EliteSiC
Vr - Backspänning: 650 V
Enhetens vikt: 1,485 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

D2 EliteSiC Diodes

onsemi D2 EliteSiC Diodes are a range of high-performance diodes designed for applications requiring a voltage rating of 650V. The onsemi D2 is available in various packages, including DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2, and TO-247-3. These diodes offer low capacitive charge (QC) and are optimized for high-speed switching with low forward voltage. These features make the diodes ideal for power factor correction (PFC) and output rectification applications.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.

Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices

onsemi Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. The EliteSiC portfolio includes 650V, 1200V, and 1700V diodes, 650V and 1200V IGBT and SiC diode Power Integrated Modules (PIMs), 1200V MOSFETs and SiC MOSFET drivers, and AEC-Q100 qualified devices.