BSC076N04NDATMA1

Infineon Technologies
726-BSC076N04NDATMA1
BSC076N04NDATMA1

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er IFX FET 40V

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 2 889

Lager:
2 889 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
14 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 5000)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
19,14 kr 19,14 kr
11,44 kr 114,40 kr
5,75 kr 575,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 5000)
5,75 kr 28 750,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Infineon
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
2 Channel
40 V
20 A
7.6 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
38 nC
- 55 C
+ 175 C
65 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: Infineon Technologies
Konfiguration: Dual
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: MY
Falltid: 7 ns
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 4 ns
Serie: BSC076N04
Fabriksförpackningskvantitet: 5000
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 2 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 22 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 13 ns
Del # Alias: BSC076N04ND SP002594330
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

OptiMOS™ Dual-Channel Super Cool Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ Dual-Channel Super Cool Power MOSFETs are N-channel power transistors in a SuperSO8 package with dual-cool capability for enhanced thermal performance. The Infineon OptiMOS Power MOSFETs are developed to increase efficiency, power density, and cost-effectiveness. These devices feature low on-state resistance (RDS(on)) and low reverse recovery charge (Qrr), increasing power density while improving robustness and system reliability. The +175°C rating facilitates designs with either more power at a higher operating junction temperature or a longer lifetime at the same operating junction temperature.