BSC155N06NDATMA1

Infineon Technologies
726-BSC155N06NDATMA1
BSC155N06NDATMA1

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er IFX FET 60V

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 4 117

Lager:
4 117 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
9 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 5000)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
18,26 kr 18,26 kr
9,93 kr 99,30 kr
7,67 kr 767,00 kr
6,25 kr 3 125,00 kr
5,72 kr 5 720,00 kr
5,45 kr 13 625,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 5000)
5,45 kr 27 250,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Infineon
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
2 Channel
60 V
20 A
15.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
29 nC
- 55 C
+ 175 C
50 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: Infineon Technologies
Konfiguration: Dual
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: MY
Falltid: 9 ns
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 2 ns
Serie: BSC155N06
Fabriksförpackningskvantitet: 5000
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 2 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 19 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 11 ns
Del # Alias: BSC155N06ND SP003883348
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

OptiMOS™ Dual-Channel Super Cool Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ Dual-Channel Super Cool Power MOSFETs are N-channel power transistors in a SuperSO8 package with dual-cool capability for enhanced thermal performance. The Infineon OptiMOS Power MOSFETs are developed to increase efficiency, power density, and cost-effectiveness. These devices feature low on-state resistance (RDS(on)) and low reverse recovery charge (Qrr), increasing power density while improving robustness and system reliability. The +175°C rating facilitates designs with either more power at a higher operating junction temperature or a longer lifetime at the same operating junction temperature.