Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

BSM180D12P3C007

Name: ROHM Semiconductor BSM180D12P3C007
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BSM180D12P3C007
Price: 5541.69 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-BSM180D12P3C007

Tillverk: Nr.:

BSM180D12P3C007

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET-moduler Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD

Datablad:

BSM180D12P3C007 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om ROHM Semiconductor BSM180D12P3C007

På lager: 12

Lager:: 12 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 27 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Partier som är större än 12 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	5.541,69 kr	5.541,69 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET-moduler
RoHS-direktivet:
Teknologi:	SiC
Monteringsstil:	Screw Mount
Paket/låda:	Module
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	2 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.2 kV
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	180 A
Vgs - Gate-källans spänning:	- 4 V, + 22 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.7 V
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	880 W
Serie:	BSMx
Förpackning:	Tray
Märke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	JP
Falltid:	50 ns
Höjd:	21.1 mm
Längd:	122 mm
Produkttyp:	MOSFET Modules
Stigtid:	70 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	12
Underkategori:	Discrete and Power Modules
Typ:	SiC Power Module
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	165 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	50 ns
Bredd:	45.6 mm
Vr - Backspänning:	1.2 kV
Enhetens vikt:	302,171 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

BSM180D12P3C007 Datablad (PDF)

Models

ThermalLink

Other

Specification Sheets

SPICE Models

Technical Resources

Test/Quality Data

Constitution Material (PDF)

TARIC:: 8541500000
CNHTS:: 8504901900
USHTS:: 8541590080
MXHTS:: 85415001
BRHTS:: 85415020
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

SiC Power Modules

ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.