Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

C3M0032120K

Name: Wolfspeed C3M0032120K
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C3M0032120K
Price: 125.4 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

941-C3M0032120K

Tillverk: Nr.:

C3M0032120K

Tillverk:

Wolfspeed

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET

Datablad:

C3M0032120K Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Wolfspeed C3M0032120K

Tillgänglighet

Lager:: 0

Du kan fortfarande köpa produkten som en restnoterad beställning.

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 19 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	125,40 kr	125,40 kr
	74,14 kr	741,40 kr
	71,94 kr	8 632,80 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Wolfspeed
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-247-4
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.2 kV
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	63 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	32 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 4 V, + 15 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3.6 V
Qg - Gate-laddning:	118 nC
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	283 W
Kanalläge:	Enhancement
Märke:	Wolfspeed
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Falltid:	9 ns
Transkonduktans framåt - Min:	27 S
Förpackning:	Tube
Produkt:	MOSFETs
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Stigtid:	18 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	30
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	32 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	25 ns
Enhetens vikt:	6 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

C3M0032120K Datablad

PCN

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

1200V Silicon Carbide Schottky Diodes

Wolfspeed 1200V Silicon Carbide Schottky Diodes feature Merged PiN Schottky (MPS) technology and offer greater robustness and reliability than standard Schottky diodes. These Wolfspeed 1200V diodes come in various packages that can be paralleled without the risk of thermal runaway. The diodes are ideal for solar inverters, switch mode power supplies (SMPS), uninterruptible power supplies (UPS), and AC/DC converters.

1 200 V effekt-MOSFET:er av kiselkarbid

Effekt-MOSFET:ar 1 200 V av kiselkarbid från Wolfspeed sätter standarden för prestanda, tålighet och enkel utformning. Wolfspeed MOSFET-enheter har snabb switchning och låga switchförluster, vilket garanterar betydligt förbättrad systemeffektivitet, effekttäthet och total BOM-kostnad jämfört med kiserlbaserade MOSFET- och IGBT-enheter.

Silicon Carbide 1200V MOSFETs & Diodes

Wolfspeed Silicon Carbide (SiC) 1200V MOSFETs and Diodes create a powerful combination of higher efficiency in demanding applications. These MOSFETs and Schottky diodes are designed for high-power applications. The 1200V SiC MOSFETs feature stable Rds(on) over-temperature and avalanche ruggedness. These MOSFETs are rugged body diodes that do not require external diodes and are easier to drive as these offer a 15V gate drive. The 1200V SiC MOSFETs improve system-level efficiency, lower switching and conduction losses, and improve system-level power density.

C3M0032120K effekt-MOSFET:er av kiselkarbid

Wolfspeed C3M0032120K effekt-MOSFET:er av kiselkarbid har utformats med C3M™ MOSFET-teknik. C3M0032120K har en 1200 V_DS, en 63 A I_D och en 32 R_DS(on). Effekt-MOSFET:ar minskar switchförluster och minimerar portringning. Enheterna har en snabb inneboende diod med låg omvänd återhämtning (Qrr). C3M0032120K MOSFET:erna erbjuder ökad effekttäthet och switchfrekvens för system med minskade kylkrav. C3M0032120K är idealiska för solinverterare, EV-motordrivenheter, högspännings DC/DC-omvandlare, strömförsörjningar med växlat läge och lastbrytare.

SiC C3M MOSFETs

Wolfspeed SiC C3M MOSFETs enable higher switching frequencies and reduce inductor, capacitor, filter, and transformer component sizes. The Wolfspeed SiC C3M MOSFETs have higher system efficiency and reduced cooling requirements. The MOSFETs also increase power density and system switching frequency.