Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

C4MS036120K1

Name: Wolfspeed C4MS036120K1
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C4MS036120K1
Price: 71.94 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

941-C4MS036120K1

Tillverk: Nr.:

C4MS036120K1

Tillverk:

Wolfspeed

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar SiC, MOSFET, 36mohm, 1200V, TO-247-4-LP, Industrial

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

C4MS036120K1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Wolfspeed C4MS036120K1

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: Begär kostnadsberäkning för leverans

Ange kvantitet:

Minst: 450 Flera: 450

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	71,94 kr	32.373,00 kr
	64,02 kr	57.618,00 kr
	59,84 kr	80.784,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Wolfspeed
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-247-4
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.2 kV
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	60 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	36 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.6 V
Qg - Gate-laddning:	88 nC
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	272 W
Kanalläge:	Enhancement
Märke:	Wolfspeed
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	US
Falltid:	4 ns
Transkonduktans framåt - Min:	20 S
Produkt:	SiC MOSFET
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Stigtid:	3 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	30
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Transistortyp:	1 N-Channel
Typ:	Silicon Carbide Power MOSFET
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	29 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	12 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

C4MS036120K1 Datablad (PDF)

ECCN:: EAR99

1200V C4MS Discrete SiC MOSFETs

Wolfspeed 1200V C4MS Discrete Silicon Carbide (SiC) MOSFETs deliver unparalleled performance in hard-switched applications. The C4MS family utilizes a fast and soft body diode that enables fast switching with minimal overshoot and ringing, thereby expanding the usable design space for engineers to tune and optimize the performance in the application. The C4MS family provides improved E_on, E_RR, and E_off losses compared to the C3M family of devices, while maintaining a low R_DS(on) temperature coefficient. This balanced approach provides maximum performance and efficiency across a wide range of both hard-switched and soft-switched topologies.