CDF56G6511N TR13 PBFREE

Name: Central Semiconductor CDF56G6511N TR13 PBFREE
Brand: Central Semiconductor
SKU: 610-CDF56G6511NTR13P
Price: 46.42 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

610-CDF56G6511NTR13P

Tillverk: Nr.:

CDF56G6511N TR13 PBFREE

Tillverk:

Central Semiconductor

Beskrivning:

GaN FET 650V, 11A, N-Channel GaN FET

Datablad:

CDF56G6511N TR13 PBFREE Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Central Semiconductor CDF56G6511N TR13 PBFREE

På lager: 2 102

Lager:: 2 102 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	46,42 kr	46,42 kr
	36,19 kr	361,90 kr
	26,07 kr	2.607,00 kr
	25,30 kr	12.650,00 kr
	23,98 kr	23.980,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
	21,56 kr	53.900,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Central Semiconductor
Produktkategori:	GaN FET
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	DFN-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	650 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	11.5 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	190 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 1.4 V, + 7 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.5 V
Qg - Gate-laddning:	2.8 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	84 W
Kanalläge:	Depletion
Märke:	Central Semiconductor
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Falltid:	4 ns
Maximal driftsfrekvens:	100 kHz
Minsta driftfrekvens:	0 Hz
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Produkttyp:	GaN FETs
Stigtid:	4 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	GaN
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	1.7 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	1.4 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

CDF56G6511N TR13 PBFREE Datablad (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GaN N-Channel FETs

Central Semiconductor GaN N-Channel FETs excel in high voltage and low R_DS(ON), making them ideal for efficient soft-switching applications. Central Semiconductor GaN FETs come in 100V (60A), 150V (60A), 650V (11A), 650V (17A), and 700V (18A) versions. The devices are available in practical surface-mount, chip-scale packages, and bare dies. Ideally, these FETs are used in switch-mode power supplies, high-power chargers, and Electric Vehicle (EV) inverters.