Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

CG2H40025F

Name: MACOM CG2H40025F
Brand: MACOM
SKU: 941-CG2H40025F
Price: 1834.8 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

941-CG2H40025F

Tillverk: Nr.:

CG2H40025F

Tillverk:

MACOM

Beskrivning:

GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt

Datablad:

CG2H40025F Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om MACOM CG2H40025F

På lager: 367

Lager:: 367

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 880
Fabrikens ledtid:: 26

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	1.834,80 kr	1.834,80 kr
	1.467,73 kr	14.677,30 kr
	1.467,62 kr	117.409,60 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	MACOM
Produktkategori:	GaN FET
RoHS-direktivet:
Mounting Style:	Screw Mount
Package / Case:	440166
Transistor Polarity:	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	120 V
Id - Continuous Drain Current:	3 A
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	- 3.8 V
Minimum Operating Temperature:	- 40 C
Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Brand:	MACOM
Country of Assembly:	Not Available
Country of Diffusion:	Not Available
Country of Origin:	US
Gain:	15 dB
Maximum Operating Frequency:	6 GHz
Minimum Operating Frequency:	0 Hz
Output Power:	25 W
Packaging:	Tray
Product Type:	GaN FETs
Fabriksförpackningskvantitet:	80
Subcategory:	Transistors
Technology:	GaN
Transistor Type:	GaN HEMT
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage:	- 10 V, 2 V
Enhetens vikt:	10,566 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

CG2H40025F Datablad (PDF)

PCN

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CG2H40xx & CG2H30xx GaN HEMTs

MACOM CG2H40xx and CG2H30xx Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to operate from a 28V rail. These transistors offer a general-purpose broadband solution to a variety of RF and microwave applications. The high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities make these HEMTs ideal for linear and compressed amplifier circuits. MACOM CG2H40xx and CG2H30xx transistors offer design flexibility with a wide variety of package types, including screw-down, solder-down, pill, and flange. Typical applications include broadband amplifiers, cellular infrastructure, and radar.