DMTH6010LPSQ-13

Diodes Incorporated
621-DMTH6010LPSQ-13
DMTH6010LPSQ-13

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 100A

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 2 727

Lager:
2 727 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
24 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
17,38 kr 17,38 kr
10,98 kr 109,80 kr
8,14 kr 814,00 kr
6,61 kr 3.305,00 kr
6,12 kr 6.120,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
5,90 kr 14.750,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Diodes Incorporated
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerDI5060-8
N-Channel
1 Channel
60 V
13.5 A
6.4 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
41.3 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: Diodes Incorporated
Konfiguration: Single
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: CN
Falltid: 9.7 ns
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 4.3 ns
Serie: DMTH6010
Fabriksförpackningskvantitet: 2500
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 23.4 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 5.7 ns
Enhetens vikt: 96 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

DMTx MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs with low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are also designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

DMTH601xLPSQ N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Inc. DMTH601xLPSQ 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed to meet the stringent requirements of automotive applications. DMTH601xLPSQ MOSFETs are qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP (Production Part Approval Process), and are ideal for use in engine management systems, body control electronics, and DC-DC converters. DMTH601xLPSQ MOSFETs offer low RDS(ON), low input capacitance, and fast switching speed. Offered in Diodes Incorporated's unique PowerDI®5060 package, DMTH601xLPSQ MOSFETs are rated to +175ºC and feature an off-board height of <1.1mm. This makes DMTH601xLPSQ MOSFETs well suited for high-temperature environments and low-profile applications.

Gate Drivers

Diodes Incorporated Gate Drivers cover many applications in power systems and motor drives. These gate drivers act as the interface between the microcontroller and IGBT or MOSFET power switches. Diodes Incorporated gate drivers provide optimum drive characteristics while controlling shoot-through.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.