FDBL0260N100

onsemi
512-FDBL0260N100
FDBL0260N100

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er N-Channel Power Trench MOSFET

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 459

Lager:
459 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
24 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2000)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
64,35 kr 64,35 kr
43,45 kr 434,50 kr
32,12 kr 3.212,00 kr
32,01 kr 16.005,00 kr
31,57 kr 31.570,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2000)
29,92 kr 59.840,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
onsemi
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TO-LL8-8
N-Channel
1 Channel
100 V
200 A
2.6 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
83 nC
- 55 C
+ 150 C
250 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: onsemi
Konfiguration: Single
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: PH
Falltid: 19 ns
Transkonduktans framåt - Min: 170 S
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 34 ns
Serie: FDBL0260N100
Fabriksförpackningskvantitet: 2000
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 47 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 26 ns
Enhetens vikt: 850,050 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

N-Channel PowerTrench® MOSFETs

onsemi N-Channel PowerTrench MOSFETs are produced using onsemi's advanced PowerTrench process that has been specially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance. onsemi N-Channel PowerTrench MOSFETs are available in a variety of Drain to Source Voltage specifications, from 30V to 250V.