Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

FDD86250

Name: onsemi FDD86250
Brand: onsemi
SKU: 512-FDD86250
Price: 18.59 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

512-FDD86250

Tillverk: Nr.:

FDD86250

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

MOSFET:er 150V N-Channel PowerTrench MOSFET

Datablad:

FDD86250 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi FDD86250

På lager: 28 052

Lager:: 28 052 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 19 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	18,59 kr	18,59 kr
	12,10 kr	121,00 kr
	9,24 kr	924,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
	9,23 kr	23.075,00 kr
	8,89 kr	44.450,00 kr
	8,67 kr	86.700,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	150 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	51 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	31 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2 V
Qg - Gate-laddning:	33 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	132 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	PowerTrench
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Transkonduktans framåt - Min:	28 S
Produkttyp:	MOSFETs
Serie:	FDD86250
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Enhetens vikt:	330 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

FDD86250 Datablad (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Fairchild PowerTrench MOSFETs

PowerTrench® MOSFETs

onsemi PowerTrench^® MOSFETs offer a broad portfolio of MOSFETs in the industry. These onsemi MOSFETs offer N-Channel and P-Channel versions optimized for low R_DS(ON) switching performance and ruggedness. Typical applications include load switches, primary switching, mobile computing, DC-DC converters, and synchronous rectifiers.

NTDS015N15MC Shielded Gate PowerTrench® MOSFET

onsemi NTDS015N15MC Shielded Gate PowerTrench^® MOSFET is an N-channel MOSFET that is designed to reduce on-state resistance and maintains good switching performance. This MOSFET features 150V drain-to-source voltage (V_DSS), 15mΩ maximum drain-to-source resistance (R_DS(on)) at 10V, and 50A drain current (I_D). The NTDS015N15MC MOSFET offers low capacitance to minimize driver losses and an optimized gate charge to minimize switching losses. Typical applications include a synchronous rectifier in the secondary of a power supply and motor control.

N-Channel PowerTrench® MOSFETs

onsemi N-Channel PowerTrench MOSFETs are produced using onsemi's advanced PowerTrench process that has been specially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance. onsemi N-Channel PowerTrench MOSFETs are available in a variety of Drain to Source Voltage specifications, from 30V to 250V.