FDMC86261P

onsemi
512-FDMC86261P
FDMC86261P

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er -150 P-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 6 550

Lager:
6 550 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
33 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
26,73 kr 26,73 kr
17,16 kr 171,60 kr
11,66 kr 1.166,00 kr
9,65 kr 4.825,00 kr
9,02 kr 9.020,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
8,71 kr 26.130,00 kr
8,43 kr 50.580,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
onsemi
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
SMD/SMT
Power-33-8
P-Channel
1 Channel
150 V
2.7 A
269 mOhms
- 25 V, 25 V
4 V
24 nC
- 55 C
+ 150 C
40 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: onsemi
Konfiguration: Single
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: TH
Falltid: 20 ns
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 10 ns
Serie: FDMC86261P
Fabriksförpackningskvantitet: 3000
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 P-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 33 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 20 ns
Enhetens vikt: 165,330 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

N-Channel PowerTrench® MOSFETs

onsemi N-Channel PowerTrench MOSFETs are produced using onsemi's advanced PowerTrench process that has been specially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance. onsemi N-Channel PowerTrench MOSFETs are available in a variety of Drain to Source Voltage specifications, from 30V to 250V.

Mid-Voltage P-Channel MOSFETs

onsemi Mid-Voltage P-Channel MOSFETs are 100V and 150V P-Channel MOSFETs that offer the best in class RDS-ON and Qg in the industry. Each of these devices is produced using PowerTrench® technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and optimized for superior switching performance. onsemi Mid-Voltage P-Channel MOSFETs are ideal for high side switching on motor drives and lighting, active clamp in DC-DC, and load switching.