Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

FFSD0865B-F085

Name: onsemi FFSD0865B-F085
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSD0865B-F085
Price: 35.31 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-FFSD0865B-F085

Tillverk: Nr.:

FFSD0865B-F085

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

SiC-schottkydioder 650V 8A SIC SBD GEN1.5

Datablad:

FFSD0865B-F085 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi FFSD0865B-F085

På lager: 3 959

Lager:: 3 959 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	35,31 kr	35,31 kr
	23,10 kr	231,00 kr
	16,17 kr	1.617,00 kr
	14,30 kr	7.150,00 kr
	13,31 kr	13.310,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
	13,31 kr	33.275,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	SiC-schottkydioder
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	DPAK-3 (TO-252-3)
Konfiguration:	Single
If - Framström:	8 A
Vrrm - Repetativ backspänning:	650 V
Vf - Framspänning:	1.39 V
Ifsm - Stötström framåt:	42 A
Ir - Motström:	40 uA
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Serie:	FFSD0865B-F085
Kvalificering:	AEC-Q101
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	onsemi
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Pd - Effektavledning:	91 W
Produkttyp:	SiC Schottky Diodes
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	Diodes & Rectifiers
Handelsnamn:	EliteSiC
Vr - Backspänning:	650 V

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

FFSD0865B-F085 Datablad

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

D2 EliteSiC Diodes

onsemi D2 EliteSiC Diodes are a range of high-performance diodes designed for applications requiring a voltage rating of 650V. The onsemi D2 is available in various packages, including DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2, and TO-247-3. These diodes offer low capacitive charge (QC) and are optimized for high-speed switching with low forward voltage. These features make the diodes ideal for power factor correction (PFC) and output rectification applications.

FFSx0865B-F085 650V SiC Schottky Diodes

onsemi FFSx0865B-F085 650V 8A Silicon Carbide Schottky Diodes use a technology that provides superior switching performance and higher reliability. onsemi FFSx0865B-F085 SiC Diodes feature temperature-independent switching characteristics, no reverse recovery current, and excellent thermal performance. Additional benefits include the highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, reduced system size, and increased cost-effectiveness. The FFSx0865B-F085 650V, 8A SiC Schottky Diodes are available in a D2PAK-3 package.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.