Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

FFSH4065BDN-F085

Name: onsemi FFSH4065BDN-F085
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSH4065BDN-F085
Price: 125.95 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-FFSH4065BDN-F085

Tillverk: Nr.:

FFSH4065BDN-F085

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

SiC-schottkydioder 650V

Datablad:

FFSH4065BDN-F085 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi FFSH4065BDN-F085

På lager: 680

Lager:: 680 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 15 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	125,95 kr	125,95 kr
	76,34 kr	763,40 kr
	72,27 kr	8.672,40 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	SiC-schottkydioder
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-247-3
Konfiguration:	Dual Anode Common Cathode
If - Framström:	40 A
Vrrm - Repetativ backspänning:	650 V
Vf - Framspänning:	1.38 V
Ifsm - Stötström framåt:	84 A
Ir - Motström:	40 uA
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Serie:	FFSH4065BDN-F085
Kvalificering:	AEC-Q101
Förpackning:	Tube
Märke:	onsemi
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Pd - Effektavledning:	127 W
Produkttyp:	SiC Schottky Diodes
Fabriksförpackningskvantitet:	30
Underkategori:	Diodes & Rectifiers
Handelsnamn:	EliteSiC
Vr - Backspänning:	650 V

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

FFSH4065BDN-F085 Datablad

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541590000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.

D2 EliteSiC Diodes

onsemi D2 EliteSiC Diodes are a range of high-performance diodes designed for applications requiring a voltage rating of 650V. The onsemi D2 is available in various packages, including DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2, and TO-247-3. These diodes offer low capacitive charge (QC) and are optimized for high-speed switching with low forward voltage. These features make the diodes ideal for power factor correction (PFC) and output rectification applications.

FFSPx065BDN-F085 Automotive SiC Schottky Diodes

onsemi FFSPx065BDN-F085 Automotive Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are AEC-Q101-qualified devices designed to leverage the advantages of Silicon Carbide (Si) over Silicon. The FFSPx065BDN-F085 SiC Schottky Diodes feature drastically higher forward surge capability, lower reverse leakage, and no reverse recovery current. These SiC Schottky Diodes also offer temperature-independent switching and excellent thermal performance. This results in improved system efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size/cost.