Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

FM24V10-G

Name: Infineon FM24V10-G
Brand: Infineon Technologies
SKU: 877-FM24V10-G
Price: 176.44 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

877-FM24V10-G

Tillverk: Nr.:

FM24V10-G

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

F-RAM 1M (128Kx8) 2.0-3.6V F-RAM

Datablad:

FM24V10-G Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies FM24V10-G

På lager: 583

Lager:: 583 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 20 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	176,44 kr	176,44 kr
	169,29 kr	1.692,90 kr
	154,55 kr	3.863,75 kr
	141,35 kr	7.067,50 kr
	106,70 kr	51.749,50 kr

Alternativ förpackning

Tillverk: Artikelnummer:

FM24V10-GTR

Emballage:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Tillgänglighet:

På lager

Pris:

185,68 kr

Min:

Liknande produkt

Tillverk:

Infineon Technologies

Tillverk: Nr.:

FM24V10-GTR

Beskrivning:

F-RAM 1M (128Kx8) 2.0-3.6V F-RAM

Jämför med aktuell del

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	F-RAM
RoHS-direktivet:
Minnesstorlek:	1 Mbit
Gränssnittstyp:	I2C
Maximal klockfrekvens:	3.4 MHz
Organisation:	128 k x 8
Paket/låda:	SOIC-8
Minimal matningsspänning:	2 V
Maximal matningsspänning:	3.6 V
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 85 C
Serie:	FM24V10-G
Förpackning:	Tube
Märke:	Infineon Technologies
Monteringsland:	TH
Distributionsland:	US
Ursprungsland:	US
Fuktkänsliga:	Yes
Monteringsstil:	SMD/SMT
Driftspänning:	3.3 V
Produkttyp:	FRAM
Fabriksförpackningskvantitet:	485
Underkategori:	Memory & Data Storage
Enhetens vikt:	540 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

FM24V10-G Datablad (PDF)

Statement Regarding the RoHS Compliance of Cypress Products

TARIC:: 8542329000
CNHTS:: 8542329090
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
JPHTS:: 8542320905
KRHTS:: 8542321040
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

WICED IOT Platform

Infineon Technologies WICED IoT Platform is a portfolio of wireless technologies ranging from Wi-Fi® and BLUETOOTH® to microcontrollers (MCU) built specifically for the IoT. These design-ready, secure products streamline and simplify designs. Infineon has over 20 ecosystem partners working to crack persistent design problems.

Serial FRAM Nonvolatile Memory Devices

Infineon Technologies Serial F-RAM (ferroelectric RAM) memories combine the nonvolatile data storage capability of ROM with the fast speeds of RAM. Serial F-RAM features a variety of interface and density options, including SPI and I²C interfaces, industry-standard packages, and densities ranging from 4KB to 4MB. Infineon Serial F-RAMs have three distinct advantages over other nonvolatile memory technologies: fast write speed, extremely high endurance, and low power consumption. Serial F-RAMs provide 100 trillion cycle endurance, exceeding the 1 million write cycle limitation of EEPROM. This eliminates the need for wear leveling to support a product over its lifespan.

V-Family Low-Power F-RAM

Infineon Technologies V-Family low-power F-RAM devices feature high-performance nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. Infineon serial F-RAM performs write operations at bus speed, incurs no write delays, and is ideal for nonvolatile memory applications requiring frequent or rapid writes or low power operation. The V-Family parallel F-RAM provides data retention for over 10 years while eliminating the reliability concerns, functional disadvantages, and system design complexities of battery-backed SRAM.