FM25V10-DG

Name: Infineon FM25V10-DG
Brand: Infineon Technologies
SKU: 727-FM25V10-DG
Price: 164.01 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

727-FM25V10-DG

Tillverk: Nr.:

FM25V10-DG

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

F-RAM FRAM

Datablad:

FM25V10-DG Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies FM25V10-DG

På lager: 88

Lager:: 88 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 20 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	164,01 kr	164,01 kr
	152,24 kr	1.522,40 kr
	147,40 kr	3.685,00 kr
	143,88 kr	7.194,00 kr
	140,25 kr	14.025,00 kr
	133,76 kr	33.440,00 kr
	127,82 kr	47.293,40 kr
1 110	Beräkning

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	F-RAM
RoHS-direktivet:
Minnesstorlek:	1 Mbit
Gränssnittstyp:	SPI
Maximal klockfrekvens:	25 MHz, 40 MHz
Organisation:	128 k x 8
Paket/låda:	DFN-8
Minimal matningsspänning:	2 V
Maximal matningsspänning:	3.6 V
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 85 C
Serie:	FM25V10-G
Förpackning:	Tube
Märke:	Infineon Technologies
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	US
Fuktkänsliga:	Yes
Monteringsstil:	SMD/SMT
Driftspänning:	2 V to 3.6 V
Produkttyp:	FRAM
Fabriksförpackningskvantitet:	370
Underkategori:	Memory & Data Storage

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

FM25V10-DG Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

CNHTS:: 8542329090
USHTS:: 8542320071
ECCN:: EAR99

V-Family Low-Power F-RAM

Infineon Technologies V-Family low-power F-RAM devices feature high-performance nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. Infineon serial F-RAM performs write operations at bus speed, incurs no write delays, and is ideal for nonvolatile memory applications requiring frequent or rapid writes or low power operation. The V-Family parallel F-RAM provides data retention for over 10 years while eliminating the reliability concerns, functional disadvantages, and system design complexities of battery-backed SRAM.