Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

FM25V10-G

Name: Infineon FM25V10-G
Brand: Infineon Technologies
SKU: 877-FM25V10-G
Price: 141.13 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

877-FM25V10-G

Tillverk: Nr.:

FM25V10-G

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

F-RAM 1M (128Kx8) 2.0-3.6V F-RAM

Datablad:

FM25V10-G Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies FM25V10-G

På lager: 2 275

Lager:: 2 275 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 20 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	141,13 kr	141,13 kr
	131,12 kr	1.311,20 kr
	127,38 kr	3.184,50 kr
	122,76 kr	6.138,00 kr
	118,91 kr	11.891,00 kr
	117,26 kr	29.315,00 kr
	114,51 kr	57.255,00 kr
1 940	Beräkning

Alternativ förpackning

Tillverk: Artikelnummer:

FM25V10-GTR

Emballage:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Tillgänglighet:

På lager

Pris:

144,98 kr

Min:

Liknande produkt

Tillverk:

Infineon Technologies

Tillverk: Nr.:

FM25V10-GTR

Beskrivning:

F-RAM 1M (128Kx8) 2.0-3.6V F-RAM

Jämför med aktuell del

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	F-RAM
RoHS-direktivet:
Minnesstorlek:	1 Mbit
Gränssnittstyp:	SPI
Maximal klockfrekvens:	25 MHz, 40 MHz
Organisation:	128 k x 8
Paket/låda:	SOIC-8
Minimal matningsspänning:	2 V
Maximal matningsspänning:	3.6 V
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 85 C
Serie:	FM25V10-G
Förpackning:	Tube
Märke:	Infineon Technologies
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	TH
Fuktkänsliga:	Yes
Monteringsstil:	SMD/SMT
Driftspänning:	2 V to 3.6 V
Produkttyp:	FRAM
Fabriksförpackningskvantitet:	1940
Underkategori:	Memory & Data Storage
Enhetens vikt:	540 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

FM25V10-G Datablad (PDF)

Statement Regarding the RoHS Compliance of Cypress Products

TARIC:: 8542329000
CNHTS:: 8542329090
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
JPHTS:: 8542320905
KRHTS:: 8542321040
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

WICED IOT Platform

Infineon Technologies WICED IoT Platform is a portfolio of wireless technologies ranging from Wi-Fi® and BLUETOOTH® to microcontrollers (MCU) built specifically for the IoT. These design-ready, secure products streamline and simplify designs. Infineon has over 20 ecosystem partners working to crack persistent design problems.

V-Family Low-Power F-RAM

Infineon Technologies V-Family low-power F-RAM devices feature high-performance nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. Infineon serial F-RAM performs write operations at bus speed, incurs no write delays, and is ideal for nonvolatile memory applications requiring frequent or rapid writes or low power operation. The V-Family parallel F-RAM provides data retention for over 10 years while eliminating the reliability concerns, functional disadvantages, and system design complexities of battery-backed SRAM.

Serial FRAM Nonvolatile Memory Devices

Infineon Technologies Serial F-RAM (ferroelectric RAM) memories combine the nonvolatile data storage capability of ROM with the fast speeds of RAM. Serial F-RAM features a variety of interface and density options, including SPI and I²C interfaces, industry-standard packages, and densities ranging from 4KB to 4MB. Infineon Serial F-RAMs have three distinct advantages over other nonvolatile memory technologies: fast write speed, extremely high endurance, and low power consumption. Serial F-RAMs provide 100 trillion cycle endurance, exceeding the 1 million write cycle limitation of EEPROM. This eliminates the need for wear leveling to support a product over its lifespan.