FM28V100-TGTR

Infineon Technologies
877-FM28V100-TGTR
FM28V100-TGTR

Tillverk:

Beskrivning:
F-RAM 1M (128Kx8) 2.2-3.6V F-RAM

Datablad:
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.
Mer information
Lär dig mer om Infineon Technologies FM28V100-TGTR

På lager: 2 739

Lager:
2 739 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
20 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1500)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ †
244,64 kr 244,64 kr
226,71 kr 2.267,10 kr
219,34 kr 5.483,50 kr
214,06 kr 10.703,00 kr
208,67 kr 20.867,00 kr
201,74 kr 50.435,00 kr
192,94 kr 96.470,00 kr
170,83 kr 170.830,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1500)
151,91 kr 227.865,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

Alternativ förpackning

Tillverk: Artikelnummer:
FM28V100-TG
Emballage:
Tray
Tillgänglighet:
På lager
Pris:
239,91 kr
Min:
1

Liknande produkt

Infineon Technologies FM28V100-TG
Infineon Technologies
F-RAM 1M (128Kx8) 2.2-3.6V F-RAM
Jämför med aktuell del

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Infineon
Produktkategori: F-RAM
RoHS-direktivet:  
1 Mbit
Parallel
128 k x 8
TSOP-32
60 ns
2 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
FM28V100-TG
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: Infineon Technologies
Monteringsland: TW
Distributionsland: US
Ursprungsland: TW
Fuktkänsliga: Yes
Monteringsstil: SMD/SMT
Driftspänning: 3.3 V
Produkttyp: FRAM
Fabriksförpackningskvantitet: 1500
Underkategori: Memory & Data Storage
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Datablad

TARIC:
8542329000
CNHTS:
8542329090
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
JPHTS:
8542320905
KRHTS:
8542321040
MXHTS:
8471600499
ECCN:
EAR99

V-Family Low-Power F-RAM

Infineon Technologies V-Family low-power F-RAM devices feature high-performance nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. Infineon serial F-RAM performs write operations at bus speed, incurs no write delays, and is ideal for nonvolatile memory applications requiring frequent or rapid writes or low power operation. The V-Family parallel F-RAM provides data retention for over 10 years while eliminating the reliability concerns, functional disadvantages, and system design complexities of battery-backed SRAM.

Parallel F-RAM Non-Volatile Memory

Infineon Technologies Parallel F-RAM Non-Volatile Memory operates similarly to other RAM devices and can be used as a drop-in replacement for a standard SRAM in a system. These F-RAMs read and write similar to a standard SRAM. A ferroelectric random access memory or F-RAM is non-volatile, which means that data is retained after power is removed. It provides data retention for over 151 years while eliminating the reliability concerns, functional disadvantages, and system design complexities of battery-backed SRAM (BBSRAM). Fast write timing and high write endurance make the F-RAM superior to other types of memory. These features make these devices ideal for non-volatile memory applications requiring frequent or rapid writes.

Ett oväntat fel har inträffat.


Har du en fråga? Besök hjälpcentret.
Om du har frågor som rör en specifik beställning kan du logga in på ditt konto.

Om du stöter på ytterligare problem kan du kontakta oss på 800-346-6873 eller skicka ett meddelande via e-post till help@mouser.com.