Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

GCMX003A120S3B1-N

Name: SemiQ GCMX003A120S3B1-N
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX003A120S3B1N
Price: 2258.41 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

148-GCMX003A120S3B1N

Tillverk: Nr.:

GCMX003A120S3B1-N

Tillverk:

SemiQ

Beskrivning:

MOSFET-moduler 1200V, 3mohm, 625A SiC MOSFET Half Bridge Module

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

GCMX003A120S3B1-N Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om SemiQ GCMX003A120S3B1-N

På lager: 10

Lager:: 10 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 5 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	2 258,41 kr	2 258,41 kr
	2 134,88 kr	21 348,80 kr
105	Beräkning

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	SemiQ
Produktkategori:	MOSFET-moduler
RoHS-direktivet:
Teknologi:	SiC
Monteringsstil:	Screw Mount
Paket/låda:	S3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	2 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.2 kV
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	625 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	5.5 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4 V
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	2.113 kW
Serie:	GCMX
Förpackning:	Bulk
Märke:	SemiQ
Monteringsland:	US
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	US
Falltid:	28 ns
Höjd:	30 mm
Längd:	106.4 mm
Produkt:	Modules
Produkttyp:	MOSFET Modules
Stigtid:	21 n
Fabriksförpackningskvantitet:	15
Underkategori:	Discrete and Power Modules
Typ:	Half Bidge Module
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	138 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	79 ns
Vf - Framspänning:	4 V
Bredd:	61.4 mm

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

GCMX003A120S3B1-N Datablad (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GCMX 1 200 V SiC MOSFET-moduler med halvbrygga

SemiQ GCMX 1 200 V SiC MOSFET-moduler med halvbrygga har låga switchförluster, låg termisk resistans mellan övergång och hölje, med mycket robust och enkel montering. Modulerna direktmonteras på kylflänsen (isolerat paket) och inkluderar en Kelvin-referens för stabil drift. Alla delar har testats noggrant för att tåla spänningar över 1 350 V. Den funktion som står ut hos dessa moduler är den robusta dräneringsspänningen på 1 200 V. GCMX-modulerna med halvbrygga arbetar vid en övergångstemperatur på 175°C och är RoHS-kompatibla. Typiska tillämpningar innefattar solcellsomvandlare, batteriladdare, energilagringssystem och DC-till-DC-omvandlare för hög spänning.