Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

GCMX080A120B2H1P

Name: SemiQ GCMX080A120B2H1P
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX080A120B2H1P
Price: 377.63 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

148-GCMX080A120B2H1P

Tillverk: Nr.:

GCMX080A120B2H1P

Tillverk:

SemiQ

Beskrivning:

MOSFET-moduler SiC 1200V 80mohm MOSFET Full-Bridge Module

Datablad:

GCMX080A120B2H1P Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om SemiQ GCMX080A120B2H1P

På lager: 35

Lager:: 35 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	377,63 kr	377,63 kr
	326,59 kr	3.265,90 kr
	326,48 kr	32.648,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 40)
	326,59 kr	13.063,60 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	SemiQ
Produktkategori:	MOSFET-moduler
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	SiC
Monteringsstil:	Press Fit
Transistorns polaritet:	N-Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.2 kV
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	27 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	77 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	1.8 V
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	119 W
Serie:	GCMX
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	SemiQ
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Falltid:	4 ns
Produkttyp:	MOSFET Modules
Stigtid:	3 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	40
Underkategori:	Discrete and Power Modules
Typ:	Full Bridge
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	18 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	10 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

GCMX080A120B2H1P Datablad (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GCMX 1 200 V SiC MOSFET-moduler med komplett brygga

SemiQ GCMX 1 200 V SiC MOSFET moduler med helbrygga har låga switchförluster, låg termisk resistans mellan anslutning och hölje, med mycket robust och enkel montering. Modulerna direktmonteras på kylflänsen (isolerad kapsling) och inkluderar en Kelvin-referens för stabil drift. Alla delar har testats noggrant för att tåla spänningar över 1 350 V. Den karakteristiska egenskapen för dessa moduler är den robusta dräneringsspänningen på 1 200 V. GCMX-moduler med hel brygga arbetar vid en övergångstemperatur på 175°C och är RoHS-kompatibla. Typiska tillämpningar innefattar solcellsomvandlare, batteriladdare, energilagringssystem och DC-till-DC-omvandlare för hög spänning.