Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

HT8MD5HTB1

Name: ROHM Semiconductor HT8MD5HTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-HT8MD5HTB1
Price: 18.37 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-HT8MD5HTB1

Tillverk: Nr.:

HT8MD5HTB1

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET:er HSMT8 NPCH 80V 3.5A

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

HT8MD5HTB1 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om ROHM Semiconductor HT8MD5HTB1

På lager: 2 400

Lager:: 2 400

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 3 000
Fabrikens ledtid:: 18

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	18,37 kr	18,37 kr
	11,77 kr	117,70 kr
	7,90 kr	790,00 kr
	6,26 kr	3.130,00 kr
	5,73 kr	5.730,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	5,45 kr	16.350,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	HSMT-8
Transistorns polaritet:	N-Channel, P-Channel
Antal kanaler:	2 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	80 V, 80 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	8.5 A, 9 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	112 mOhms, 191 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4 V, 4 V
Qg - Gate-laddning:	3.1 nC, 17.2 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	13 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Falltid:	4.6 ns, 33 ns
Transkonduktans framåt - Min:	1.8 S, 3 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	5 ns, 7 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	12 ns, 74 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	5.8 ns, 9.4 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

HT8MD5HTB1 Datablad

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Small Signal Dual Channel MOSFETs

ROHM Semiconductor Small Signal Dual Channel MOSFETs feature low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are RoHS compliant and include Pb-free plating. The dual channel MOSFETs operate from -55°C to 150°C temperature range. These MOSFETs are used in motor drives and switching applications.