Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IGB070S10S1XTMA1

Name: Infineon IGB070S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGB070S10S1XTMA1
Price: 28.82 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-IGB070S10S1XTMA1

Tillverk: Nr.:

IGB070S10S1XTMA1

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

GaN FET CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

IGB070S10S1XTMA1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies IGB070S10S1XTMA1

På lager: 4 097

Lager:: 4 097 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 3 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	28,82 kr	28,82 kr
	20,57 kr	205,70 kr
	14,85 kr	1.485,00 kr
	11,99 kr	5.995,00 kr
	11,44 kr	11.440,00 kr
	11,22 kr	28.050,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 5000)
	9,66 kr	48.300,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	GaN FET
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	100 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	38 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	7 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	6.5 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.9 V
Qg - Gate-laddning:	6.1 nC
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	23 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	CoolGaN
Märke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	DE
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Produkt:	Transistors
Produkttyp:	GaN FETs
Serie:	60 V - 120 V G3
Fabriksförpackningskvantitet:	5000
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	GaN
Transistortyp:	P-Channel
Typ:	CoolGaN
Del # Alias:	IGB070S10S1 SP006039129

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IGB070S10S1XTMA1 Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolGaN™ 100V G3 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ 100V G3 Transistors are normally OFF, enhancement-mode (e-mode) power transistors in compact housing. These transistors feature low on-state resistance, making the devices an ideal choice for reliable performance in demanding high-current and high-voltage applications. The CoolGaN transistors are designed to improve thermal management. Typical applications include audio amplifier solutions, photovoltaic, telecommunication infrastructure, e‑Mobility, robotics, and drones.

CoolGaN™ G3 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ G3 Transistors are designed to deliver superior performance in high-power density applications. These transistors feature a very low on-state resistance, enabling efficient power conversion and reduced energy losses. Available in four voltage options (60V, 80V, 100V, or 120V), the Infineon CoolGaN G3 Transistors deliver ultra-fast switching with an ultra-low gate/output charge. The transistors are housed in compact PQFN packages, which enhance thermal management and support dual-side cooling, ensuring reliable operation even under demanding conditions. These features make CoolGaN G3 Transistors a top choice for applications such as telecom, data center power supplies, and industrial power systems.