Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IGC033S10S1XTMA1

Name: Infineon IGC033S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGC033S10S1XTMA1
Price: 38.28 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-IGC033S10S1XTMA1

Tillverk: Nr.:

IGC033S10S1XTMA1

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

GaN FET MV GAN DISCRETES

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

IGC033S10S1XTMA1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies IGC033S10S1XTMA1

På lager: 10 745

Lager:: 10 745 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 3 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	38,28 kr	38,28 kr
	25,08 kr	250,80 kr
	18,81 kr	1.881,00 kr
	17,27 kr	8.635,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 5000)
	14,74 kr	73.700,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	GaN FET
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	PG-TSON-6
Transistorns polaritet:	HEMT
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	100 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	76 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	3.3 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 4 V, + 5.5 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.9 V
Qg - Gate-laddning:	11 nC
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	45 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	CoolGaN
Märke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	AT
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Produkt:	Tranistors
Produkttyp:	GaN FETs
Serie:	100V G3
Fabriksförpackningskvantitet:	5000
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	GaN
Transistortyp:	1 P-Channel
Typ:	CoolGaN Transistor
Del # Alias:	IGC033S10S1 SP005751571

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IGC033S10S1XTMA1 Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolGaN™ G3 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ G3 Transistors are designed to deliver superior performance in high-power density applications. These transistors feature a very low on-state resistance, enabling efficient power conversion and reduced energy losses. Available in four voltage options (60V, 80V, 100V, or 120V), the Infineon CoolGaN G3 Transistors deliver ultra-fast switching with an ultra-low gate/output charge. The transistors are housed in compact PQFN packages, which enhance thermal management and support dual-side cooling, ensuring reliable operation even under demanding conditions. These features make CoolGaN G3 Transistors a top choice for applications such as telecom, data center power supplies, and industrial power systems.

CoolGaN™ 100V G3 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ 100V G3 Transistors are normally OFF, enhancement-mode (e-mode) power transistors in compact housing. These transistors feature low on-state resistance, making the devices an ideal choice for reliable performance in demanding high-current and high-voltage applications. The CoolGaN transistors are designed to improve thermal management. Typical applications include audio amplifier solutions, photovoltaic, telecommunication infrastructure, e‑Mobility, robotics, and drones.