IGI65D1414A3MSXUMA1

Name: Infineon IGI65D1414A3MSXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGI65D1414A3MSXU
Price: 67.1 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-IGI65D1414A3MSXU

Tillverk: Nr.:

IGI65D1414A3MSXUMA1

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

GaN FET Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

IGI65D1414A3MSXUMA1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 2 678

Lager:: 2 678 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 18 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	67,10 kr	67,10 kr
	45,32 kr	453,20 kr
	33,77 kr	3.377,00 kr
	32,12 kr	32.120,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	28,71 kr	86.130,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	GaN FET
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	QFN-32
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	2 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	650 V
Rds på - Dräneringskällans resistans:	170 mOhms
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	1.6 V
Qg - Gate-laddning:	1.8 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Märke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Dual
Monteringsland:	MY
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	AT
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Produkt:	Transistors
Produkttyp:	GaN FETs
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	GaN
Transistortyp:	2 N-Channel
Del # Alias:	IGI65D1414A3MS SP005970004

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IGI65D1414A3MSXUMA1 Datablad (PDF)

USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

CoolGaN™ 650V G5 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ 650V G5 Transistors feature highly efficient gallium nitride (GaN) transistor technology for power conversion. The 650V G5 family addresses consumer, data center, industrial, and solar application challenges. The transistors offer improved system efficiency and power density with ultra-fast switching capability. The CoolGaN technology provides discrete and integrated solutions designed to enhance overall system performance. The Infineon Technologies CoolGaN 650V G5 Transistors enable high operating frequencies and reduce EMI ratings. The transistors are ideal for power distribution, switch-mode power supplies (SMPS), telecommunications, and other industrial applications.