IKW15N120T2

Infineon Technologies
726-IKW15N120T2
IKW15N120T2

Tillverk:

Beskrivning:
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 15A

Livscykel:
NRND:
Rekommenderas ej för ny design.
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 284

Lager:
284 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
26 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
60,17 kr 60,17 kr
34,76 kr 347,60 kr
25,63 kr 2 563,00 kr
22,11 kr 10 612,80 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Infineon
Produktkategori: IGBTs
RoHS-direktivet:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.7 V
- 20 V, 20 V
30 A
235 W
- 40 C
+ 175 C
Trenchstop IGBT3
Tube
Märke: Infineon Technologies
Kontinuerlig kollektorström IC max.: 30 A
Monteringsland: CN
Distributionsland: DE
Ursprungsland: DE
Gate-sändarens läckström: 600 nA
Produkttyp: IGBT Transistors
Fabriksförpackningskvantitet: 240
Underkategori: IGBTs
Handelsnamn: TRENCHSTOP
Del # Alias: SP000244961 IKW15N12T2XK IKW15N120T2FKSA1
Enhetens vikt: 38 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

1200V Gen8 IGBTs

Infineon 1200V Gen8 IGBTs feature trench gate field stop technology delivered in industry standard TO-247 packages to provide best-in-class performance for industrial and energy-saving applications. The Gen8 technology offers softer turn-off characteristics ideal for motor drive applications, minimizing dv/dt to reduce EMI, and over-voltage, increasing reliability and ruggedness. Infineon 1200V Gen8 IGBTs have current ratings from 8A up to 60A with typical VCE(ON) of 1.7V, and a short-circuit rating of 10µs to reduce power dissipation, resulting in increased power density and robustness. Using thin wafer technology, 1200V Gen8 IGBTs deliver improved thermal resistance and maximum junction temperature up to +175°C.