Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IKW25N120T2

Name: Infineon IKW25N120T2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW25N120T2
Price: 57.2 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-IKW25N120T2

Tillverk: Nr.:

IKW25N120T2

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 25A

Livscykel:

NRND:

Rekommenderas ej för ny design.

Datablad:

IKW25N120T2 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies IKW25N120T2

På lager: 822

Lager:: 822 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 26 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	57,20 kr	57,20 kr
	29,04 kr	290,40 kr
	26,18 kr	2.618,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	IGBTs
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Paket/låda:	TO-247-3
Monteringsstil:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor- Emitterspänning VCEO Max.:	1.2 kV
Kollektor - Sändarens mättnadsspänning:	1.7 V
Maximal grind-emitterspänning:	- 20 V, 20 V
Kontinuerlig kollektorström vid 25 C:	50 A
Pd - Effektavledning:	349 W
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Serie:	Trenchstop IGBT4
Förpackning:	Tube
Märke:	Infineon Technologies
Monteringsland:	CN
Distributionsland:	DE
Ursprungsland:	DE
Gate-sändarens läckström:	200 nA
Produkttyp:	IGBT Transistors
Fabriksförpackningskvantitet:	240
Underkategori:	IGBTs
Handelsnamn:	TRENCHSTOP
Del # Alias:	IKW25N12T2XK SP000244960 IKW25N120T2FKSA1
Enhetens vikt:	38 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IKW25N120T2 Datablad (PDF)

Product Catalogs

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

1200V Gen8 IGBTs

Infineon 1200V Gen8 IGBTs feature trench gate field stop technology delivered in industry standard TO-247 packages to provide best-in-class performance for industrial and energy-saving applications. The Gen8 technology offers softer turn-off characteristics ideal for motor drive applications, minimizing dv/dt to reduce EMI, and over-voltage, increasing reliability and ruggedness. Infineon 1200V Gen8 IGBTs have current ratings from 8A up to 60A with typical VCE(ON) of 1.7V, and a short-circuit rating of 10µs to reduce power dissipation, resulting in increased power density and robustness. Using thin wafer technology, 1200V Gen8 IGBTs deliver improved thermal resistance and maximum junction temperature up to +175°C.