Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IKW30N65ET7XKSA1

Name: Infineon IKW30N65ET7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW30N65ET7XKSA1
Price: 46.75 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-IKW30N65ET7XKSA1

Tillverk: Nr.:

IKW30N65ET7XKSA1

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

IGBTs 650 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

Datablad:

IKW30N65ET7XKSA1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies IKW30N65ET7XKSA1

Tillgänglighet

Lager:: 0

Du kan fortfarande köpa produkten som en restnoterad beställning.

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 26 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	46,75 kr	46,75 kr
	30,58 kr	305,80 kr
	23,98 kr	2.398,00 kr
	19,91 kr	9.556,80 kr
	18,59 kr	22.308,00 kr
	17,27 kr	45.592,80 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	IGBTs
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Paket/låda:	TO-247-3
Monteringsstil:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor- Emitterspänning VCEO Max.:	650 V
Kollektor - Sändarens mättnadsspänning:	1.35 V
Maximal grind-emitterspänning:	- 20 V, 20 V
Kontinuerlig kollektorström vid 25 C:	60 A
Pd - Effektavledning:	188 W
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Serie:	IGBT7 T7
Förpackning:	Tube
Märke:	Infineon Technologies
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	DE
Gate-sändarens läckström:	100 nA
Produkttyp:	IGBT Transistors
Fabriksförpackningskvantitet:	240
Underkategori:	IGBTs
Handelsnamn:	TRENCHSTOP
Del # Alias:	IKW30N65ET7 SP005348289

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IKW30N65ET7XKSA1 Datablad (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Low Loss Duopack IGBTs

Infineon Technologies Low Loss Duopack IGBTs offer a robust humidity design with Trenchstop™ and Fieldstop™ technology. They feature a very soft, fast-recovery anti-parallel diode, short tail current, and very low V_CEsat.

IGBT7 Discretes

Infineon Technologies IGBT7 Discretes are the 7th generation of TRENCHSTOP™ IGBTs, created with micro-pattern trench technology. The advanced technology delivers unparalleled control and performance, resulting in significant loss reduction, improved efficiency, and increased power density in applications.