IPD95R450PFD7ATMA1

Name: Infineon IPD95R450PFD7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD95R450PFD7ATM
Price: 26.07 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-IPD95R450PFD7ATM

Tillverk: Nr.:

IPD95R450PFD7ATMA1

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

MOSFET:er LOW POWER_NEW

Datablad:

IPD95R450PFD7ATMA1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies IPD95R450PFD7ATMA1

På lager: 958

Lager:: 958 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 18 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	26,07 kr	26,07 kr
	16,94 kr	169,40 kr
	11,66 kr	1 166,00 kr
	9,56 kr	4 780,00 kr
	8,97 kr	8 970,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
	8,86 kr	22 150,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	MOSFET:er
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	950 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	13.3 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	450 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3.5 V
Qg - Gate-laddning:	43 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	104 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	DE
Falltid:	4.7 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	8.7 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	Transistors
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	45 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	9 ns
Del # Alias:	IPD95R450PFD7 SP005547015

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IPD95R450PFD7ATMA1 Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs

Infineon Technologies 950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs offer super junction (SJ) technologies. The SJ technology is ideal for lighting and industrial SMPS applications by incorporating best-in-class performance with state-of-the-art ease of use. The PFDJ provides an integrated ultra-fast body diode allowing usage in resonant topologies with the lowest reverse recovery charge (Qrr).