Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IPI086N10N3 G

Name: Infineon IPI086N10N3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPI086N10N3G
Price: 20.79 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-IPI086N10N3G

Tillverk: Nr.:

IPI086N10N3 G

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

MOSFET:er N-Ch 100V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3

Datablad:

IPI086N10N3 G Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies IPI086N10N3 G

På lager: 1 182

Lager:: 1 182 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 8 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	20,79 kr	20,79 kr
	10,12 kr	101,20 kr
	9,06 kr	906,00 kr
	7,24 kr	3.620,00 kr
	6,74 kr	6.740,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-262-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	100 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	80 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	8.2 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.7 V
Qg - Gate-laddning:	55 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	125 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	OptiMOS
Förpackning:	Tube
Märke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	CN
Distributionsland:	MY
Ursprungsland:	MY
Falltid:	8 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	42 ns
Serie:	OptiMOS 3
Fabriksförpackningskvantitet:	500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	31 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	18 ns
Del # Alias:	SP000683070 IPI86N1N3GXK IPI086N10N3GXKSA1
Enhetens vikt:	2,387 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IPI086N10N3 G Datablad (PDF)

Product Catalogs

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs

Infineon IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed, ruggedized device design, and 175°C junction operating temperature that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.