Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IPP175N20NM6AKSA1

Name: Infineon IPP175N20NM6AKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPP175N20NM6AKSA
Price: 30.14 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-IPP175N20NM6AKSA

Tillverk: Nr.:

IPP175N20NM6AKSA1

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

MOSFET:er OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

IPP175N20NM6AKSA1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies IPP175N20NM6AKSA1

På lager: 347

Lager:: 347 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 52 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	30,14 kr	30,14 kr
	15,18 kr	151,80 kr
	13,75 kr	1 375,00 kr
	11,22 kr	5 610,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-220-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	200 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	61 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	15.5 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4.5 V
Qg - Gate-laddning:	31 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	203 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	OptiMOS
Förpackning:	Tube
Märke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	AT
Falltid:	9.8 ns
Transkonduktans framåt - Min:	13 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	23 ns
Serie:	OptiMOS 6
Fabriksförpackningskvantitet:	500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	23 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	12 ns
Del # Alias:	IPP175N20NM6 SP006070086

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IPP175N20NM6AKSA1 Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 6 200V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200V Power MOSFETs are N-channel normal level MOSFETs available in PG-TO263-3, PG-TO220-3, and PG-HDSOP-16 packages. These MOSFETs feature excellent gate charge x R_DS(on) product (FOM), very low reverse recovery charge (Q_rr), and low on‑resistance R_DS(on). The OptiMOS™ 6 200V MOSFETs operate at 175°C temperature. These MOSFETs are halogen‑free according to IEC61249‑2‑21 and Moisture Sensitivity Level (MSL 1) classified according to J‑STD-020 standards. The OptiMOS™ 6 200V MOSFETs are ideal for renewables, motor control, audio amplifiers, and industrial applications.