IR25601STRPBF
Se produktspecifikationer
Tillverk:
Beskrivning:
Styrdrivenheter 2Ch 600V Half Bridge 60mA 10-20V 50ns
På lager: 1 308
-
Lager:
-
1 308 Kan skickas omedelbartEtt oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
-
Fabrikens ledtid:
-
24 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Prissättning (SEK)
| Antal | Enhetspris |
Ext. pris
|
|---|---|---|
| Skärtejp/MouseReel™ | ||
| 14,74 kr | 14,74 kr | |
| 10,78 kr | 107,80 kr | |
| 9,75 kr | 243,75 kr | |
| 8,64 kr | 864,00 kr | |
| 8,12 kr | 2 030,00 kr | |
| 7,81 kr | 3 905,00 kr | |
| 7,55 kr | 7 550,00 kr | |
| Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500) | ||
| 7,26 kr | 18 150,00 kr | |
| 7,08 kr | 35 400,00 kr | |
Datablad
Application Notes
- Gate Drive Characteristics and Requirements for HEXFET® power MOSFETs (PDF)
- Gate driver application matrix - Every switch needs a driver (PDF)
- HV Floating MOS Gate Drivers (PDF)
- Understanding HVIC Datasheet Specifications (PDF)
- Use Gate Charge to Design the Gate Drive Circuit for Power MOSFETs and IGBTs (PDF)
Product Catalogs
Technical Resources
- Design Tip - Using Monolithic High Voltage Gate Drivers (PDF)
- Design Tip - Using Monolithic High Voltage Gate Drivers (PDF)
- Low Gate Charge HEXFETS simplify Gate Drive and Lower Cost (PDF)
- Managing Transients in Control IC Driven Power Stages (PDF)
- PWM Control Methods Increases Efficiency and Reliability; Extends Battery Charge-cycle Time (PDF)
- Using Control ICs to Generate Neg. Gate Bias for MOSFETs & IGBTs (PDF)
- TARIC:
- 8542319000
- CNHTS:
- 8542399000
- CAHTS:
- 8542310000
- USHTS:
- 8542310075
- KRHTS:
- 8542311000
- MXHTS:
- 8542310302
- ECCN:
- EAR99
Sverige
