IS46TR16128D-125KBLA2

ISSI
870-46T16128D125KBA2
IS46TR16128D-125KBLA2

Tillverk:

Beskrivning:
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 197

Lager:
197 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
32 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1   Maximalt: 15
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
106,26 kr 106,26 kr
98,78 kr 987,80 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
ISSI
Produktkategori: DRAM
RoHS-direktivet:  
SDRAM - DDR3
2 Gbit
16 bit
800 MHz
BGA-96
128 M x 16
20 ns
1.425 V
1.575 V
- 40 C
+ 105 C
IS46TR16128D
Märke: ISSI
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: TW
Fuktkänsliga: Yes
Monteringsstil: SMD/SMT
Produkttyp: DRAM
Fabriksförpackningskvantitet: 190
Underkategori: Memory & Data Storage
Strömstyrka - Max: 188 mA
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

CNHTS:
8542329000
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

DDR3 SDRAM

ISSI DDR3 SDRAM delivers high-speed data transfer rates up to 2133Mbps in a small BGA-96 or BGA-78 package. ISSI DDR3 SDRAM is available in a 64Mx16, 128Mx8, 128Mx16, 256Mx8, or  256Mx16 organization. Features include bidirectional differential data strobe, data masking per byte on Write commands, programmable burst length of 4 or 8, and programmable CAS latency. ISSI DDR3 SDRAMs are well-suited for telecom & networking, automotive, and industrial embedded computing.

IS43TRx 2GB DDR3 SDRAMs

ISSI IS43/46TRx DDR3 SDRAMs deliver high-speed SDRAM in a small BGA-96 or BGA-78 package. ISSI 2GBit DDR3 SDRAM features 128Mx16 or 256Mx8 organization and supply voltage at 1.35V with a maximum clock frequency of 666MHz or 800MHz. Features include bidirectional differential data strobe, data masking per byte on Write commands, programmable burst length of 4 or 8, with programmable CAS latency. Applications include telecom and networking, automotive, and industrial embedded computing.