KTDM2G3C618BGIEAT

SMARTsemi
473-M2G3C618BGIEAT
KTDM2G3C618BGIEAT

Tillverk:

Beskrivning:
DRAM DRAM DDR3(L) 2GB 125MX16 1866Mbps 1.35V/1.5V 96-FBGA Industrial

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 124

Lager:
124 Kan skickas omedelbart
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
110,55 kr 110,55 kr
102,74 kr 1 027,40 kr
99,66 kr 2 491,50 kr
97,13 kr 4 856,50 kr
94,82 kr 9 482,00 kr
91,74 kr 18 164,52 kr
89,43 kr 53 121,42 kr
87,12 kr 103 498,56 kr
2 574 Beräkning

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
SMART
Produktkategori: DRAM
RoHS-direktivet:  
SDRAM - DDR3L
2 Gbit
16 bit
933 MHz
FBGA-96
128 M x 16
1.283 V
1.575 V
- 40 C
+ 85 C
KTDM
Tray
Märke: SMARTsemi
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: TW
Fuktkänsliga: Yes
Monteringsstil: SMD/SMT
Produkttyp: DRAM
Fabriksförpackningskvantitet: 198
Underkategori: Memory & Data Storage
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

DDR3 Memory ICs

SMARTsemi DDR3 Memory ICs feature a double data rate architecture to achieve high-speed operation. The ICs achieve high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1866Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3(L) DRAM key features, and all control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks.