KTDM4G3C818BGCEAT

Name: SMART KTDM4G3C818BGCEAT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-M4G3C818BGCEAT
Price: 110.55 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

473-M4G3C818BGCEAT

Tillverk: Nr.:

KTDM4G3C818BGCEAT

Tillverk:

SMARTsemi

Beskrivning:

DRAM DRAM DDR3(L) 4GB 512MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA Commercial

Datablad:

KTDM4G3C818BGCEAT Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om SMARTsemi KTDM4G3C818BGCEAT

På lager: 210

Lager:: 210 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Partier som är större än 210 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	110,55 kr	110,55 kr
	102,74 kr	1.027,40 kr
	99,66 kr	2.491,50 kr
	97,24 kr	4.862,00 kr
	94,82 kr	9.482,00 kr
	91,74 kr	19.265,40 kr
	89,43 kr	37.560,60 kr
	87,12 kr	91.476,00 kr
2 520	Beräkning

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	SMART
Produktkategori:	DRAM
RoHS-direktivet:
Typ:	SDRAM - DDR3L
Minnesstorlek:	4 Gbit
Databussbredd:	8 bit
Maximal klockfrekvens:	933 MHz
Paket/låda:	FBGA-78
Organisation:	512 M x 8
Minimal matningsspänning:	1.283 V
Maximal matningsspänning:	1.575 V
Minsta drifttemperatur:	0 C
Maximal drifttemperatur:	+ 85 C
Serie:	KTDM
Förpackning:	Tray
Märke:	SMARTsemi
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Fuktkänsliga:	Yes
Monteringsstil:	SMD/SMT
Produkttyp:	DRAM
Fabriksförpackningskvantitet:	210
Underkategori:	Memory & Data Storage

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

KTDM4G3C818BGCEAT Datablad (PDF)

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

DDR3 Memory ICs

SMARTsemi DDR3 Memory ICs feature a double data rate architecture to achieve high-speed operation. The ICs achieve high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1866Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3(L) DRAM key features, and all control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks.