KTDM4G4B626BGIEAT

Name: SMART KTDM4G4B626BGIEAT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-M4G4B626BGIEAT
Price: 110.55 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

473-M4G4B626BGIEAT

Tillverk: Nr.:

KTDM4G4B626BGIEAT

Tillverk:

SMARTsemi

Beskrivning:

DRAM DRAM DDR4 4GB 256MX16 2666Mbps 1.2V 96-FBGA Industrial

Datablad:

KTDM4G4B626BGIEAT Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om SMARTsemi KTDM4G4B626BGIEAT

Tillgänglighet

Lager:: 0

Du kan fortfarande köpa produkten som en restnoterad beställning.

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	110,55 kr	110,55 kr
	102,74 kr	1.027,40 kr
	99,66 kr	2.491,50 kr
	97,24 kr	4.862,00 kr
	94,82 kr	9.482,00 kr
	91,74 kr	18.164,52 kr
	89,43 kr	53.121,42 kr
	87,12 kr	103.498,56 kr
2 574	Beräkning

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	SMART
Produktkategori:	DRAM
RoHS-direktivet:
Typ:	SDRAM - DDR4
Minnesstorlek:	4 Gbit
Databussbredd:	16 bit
Maximal klockfrekvens:	1.333 GHz
Paket/låda:	FBGA-96
Organisation:	256 M x 16
Minimal matningsspänning:	1.14 V
Maximal matningsspänning:	1.26 V
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 85 C
Serie:	KTDM
Förpackning:	Tray
Märke:	SMARTsemi
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Fuktkänsliga:	Yes
Monteringsstil:	SMD/SMT
Produkttyp:	DRAM
Fabriksförpackningskvantitet:	198
Underkategori:	Memory & Data Storage

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

KTDM4G4B626BGIEAT Datablad (PDF)

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

DDR4 Memory ICs

SMARTsemi DDR4 Memory ICs feature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of V_DD = 1.2V ± 5%, and V_PP = 2.375V to 2.75V. The ICs have up to 8 banks (4 banks x 2 bank groups) for x 16 products. The DDR4 feature a Pseudo Open Drain (POD) interface with a Burst Length (BL) of 8 and 4 with Burst Chop (BC).