KTDM4G4B826BGCEAT

Name: SMART KTDM4G4B826BGCEAT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-M4G4B826BGCEAT
Price: 103.51 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

473-M4G4B826BGCEAT

Tillverk: Nr.:

KTDM4G4B826BGCEAT

Tillverk:

SMARTsemi

Beskrivning:

DRAM DRAM DDR4 4GB 512MX8 2666Mbps 1.2V 78-FBGA Commercial

Datablad:

KTDM4G4B826BGCEAT Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om SMARTsemi KTDM4G4B826BGCEAT

På lager: 198

Lager:: 198 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Partier som är större än 198 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	103,51 kr	103,51 kr
	99,99 kr	999,90 kr
	85,80 kr	18.018,00 kr
	83,60 kr	35.112,00 kr
	81,40 kr	85.470,00 kr
2 520	Beräkning

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	SMART
Produktkategori:	DRAM
RoHS-direktivet:
Typ:	SDRAM - DDR4
Minnesstorlek:	4 Gbit
Databussbredd:	8 bit
Maximal klockfrekvens:	1.333 GHz
Paket/låda:	FBGA-78
Organisation:	512 M x 8
Minimal matningsspänning:	1.14 V
Maximal matningsspänning:	1.26 V
Minsta drifttemperatur:	0 C
Maximal drifttemperatur:	+ 85 C
Serie:	KTDM
Förpackning:	Tray
Märke:	SMARTsemi
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Fuktkänsliga:	Yes
Monteringsstil:	SMD/SMT
Produkttyp:	DRAM
Fabriksförpackningskvantitet:	210
Underkategori:	Memory & Data Storage

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

KTDM4G4B826BGCEAT Datablad (PDF)

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

DDR4 Memory ICs

SMARTsemi DDR4 Memory ICs feature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of V_DD = 1.2V ± 5%, and V_PP = 2.375V to 2.75V. The ICs have up to 8 banks (4 banks x 2 bank groups) for x 16 products. The DDR4 feature a Pseudo Open Drain (POD) interface with a Burst Length (BL) of 8 and 4 with Burst Chop (BC).