KTDM4G4B826BGIEAT

SMARTsemi
473-M4G4B826BGIEAT
KTDM4G4B826BGIEAT

Tillverk:

Beskrivning:
DRAM DRAM DDR4 4GB 512MX8 2666Mbps 1.2V 78-FBGA Industrial

Datablad:
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.
Mer information
Lär dig mer om SMARTsemi KTDM4G4B826BGIEAT

På lager: 162

Lager:
162 Kan skickas omedelbart
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
110,77 kr 110,77 kr
106,48 kr 1.064,80 kr
91,74 kr 19.265,40 kr
89,43 kr 37.560,60 kr
87,12 kr 91.476,00 kr
2 520 Beräkning

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
SMART
Produktkategori: DRAM
RoHS-direktivet:  
SDRAM - DDR4
4 Gbit
8 bit
1.333 GHz
FBGA-78
512 M x 8
1.14 V
1.26 V
- 40 C
+ 85 C
KTDM
Tray
Märke: SMARTsemi
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: TW
Fuktkänsliga: Yes
Monteringsstil: SMD/SMT
Produkttyp: DRAM
Fabriksförpackningskvantitet: 210
Underkategori: Memory & Data Storage
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Datablad

CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

DDR4 Memory ICs

SMARTsemi DDR4 Memory ICs feature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of VDD = 1.2V ± 5%, and VPP = 2.375V to 2.75V. The ICs have up to 8 banks (4 banks x 2 bank groups) for x 16 products. The DDR4 feature a Pseudo Open Drain (POD) interface with a Burst Length (BL) of 8 and 4 with Burst Chop (BC).

Ett oväntat fel har inträffat.


Har du en fråga? Besök hjälpcentret.
Om du har frågor som rör en specifik beställning kan du logga in på ditt konto.

Om du stöter på ytterligare problem kan du kontakta oss på 800-346-6873 eller skicka ett meddelande via e-post till help@mouser.com.