KTDM8G4B632BGCBCT

SMARTsemi
473-KTDM8G4B63BGCBCT
KTDM8G4B632BGCBCT

Tillverk:

Beskrivning:
DRAM DDR4, 8Gb, 512Mbx16, 1600Mhz, 3200Mbps, 1.2V, 96-ball FBGA, Commercial temp

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:
0

Du kan fortfarande köpa produkten som en restnoterad beställning.

Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
129,58 kr 129,58 kr
120,34 kr 1 203,40 kr
116,60 kr 2 915,00 kr
113,85 kr 5 692,50 kr
111,10 kr 11 110,00 kr
107,47 kr 26 867,50 kr
104,72 kr 52 360,00 kr
102,08 kr 102 080,00 kr
2 500 Beräkning

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
SMART
Produktkategori: DRAM
RoHS-direktivet:  
SDRAM - DDR4
8 Gbit
16 bit
1.6 GHz
FBGA-96
512 M x 16
1.14 V
1.26 V
0 C
+ 85 C
Märke: SMARTsemi
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: BR
Fuktkänsliga: Yes
Monteringsstil: SMD/SMT
Produkttyp: DRAM
Underkategori: Memory & Data Storage
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

DDR4 Memory ICs

SMARTsemi DDR4 Memory ICs feature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of VDD = 1.2V ± 5%, and VPP = 2.375V to 2.75V. The ICs have up to 8 banks (4 banks x 2 bank groups) for x 16 products. The DDR4 feature a Pseudo Open Drain (POD) interface with a Burst Length (BL) of 8 and 4 with Burst Chop (BC).