Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

MAPC-A3006-ABSB1

Name: MACOM MAPC-A3006-ABSB1
Brand: MACOM
SKU: 937-MAPC-A3006-ABSB1
Price: 17832.1 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

937-MAPC-A3006-ABSB1

Tillverk: Nr.:

MAPC-A3006-ABSB1

Tillverk:

MACOM

Beskrivning:

RF-utvecklingsverktyg Application & Test Fixture, MAPC-A3006

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

MAPC-A3006-ABSB1 Datablad (PDF)

Mer information

Lär dig mer om MACOM MAPC-A3006-ABSB1

På lager: 2

Lager:: 2 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 26 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	17.832,10 kr	17.832,10 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	MACOM
Produktkategori:	RF-utvecklingsverktyg
Produkt:	Add-On Boards
Typ:	RF Transistor
Verktyget är till för utvärdering av:	MAPC-A3006-AB
Frekvens:	0 Hz to 8 GHz
Märke:	MACOM
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	US
Produkttyp:	RF Development Tools
Fabriksförpackningskvantitet:	1
Underkategori:	Development Tools

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

MAPC-A3006-ABSB1 Datablad (PDF)

USHTS:: 8542330001
ECCN:: EAR99

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.