Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

MAPC-A3007-AB000

Name: MACOM MAPC-A3007-AB000
Brand: MACOM
SKU: 937-MAPC-A3007-AB000
Price: 3354.67 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

937-MAPC-A3007-AB000

Tillverk: Nr.:

MAPC-A3007-AB000

Tillverk:

MACOM

Beskrivning:

GaN FET Transistor, DC-8.0GHz, 25W, G28V5

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

MAPC-A3007-AB000 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om MACOM MAPC-A3007-AB000

På lager: 50

Lager:: 50 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 26 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	3 354,67 kr	3 354,67 kr
	2 859,12 kr	28 591,20 kr
100	Beräkning

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	MACOM
Produktkategori:	GaN FET
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	440166
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	84 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	4.6 A
Vgs - Gate-källans spänning:	- 10 V, + 2 V
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 85 C
Märke:	MACOM
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	US
Förstärkning:	13.2 dB
Maximal driftsfrekvens:	6 GHz
Minsta driftfrekvens:	0 Hz
Utgångseffekt:	46.4 dBm
Produkt:	GaN FETs
Produkttyp:	GaN FETs
Fabriksförpackningskvantitet:	1
Underkategori:	Transistors
Typ:	GaN on SiC Transistor

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

MAPC-A3007-AB000 Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.