MR0A08BCYS35

Everspin Technologies
936-MR0A08BCYS35
MR0A08BCYS35

Tillverk:

Beskrivning:
MRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:
0

Du kan fortfarande köpa produkten som en restnoterad beställning.

Fabrikens ledtid:
27 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
228,91 kr 228,91 kr
212,08 kr 2.120,80 kr
205,37 kr 5.134,25 kr
200,31 kr 10.015,50 kr
193,27 kr 19.327,00 kr
188,32 kr 50.846,40 kr
172,37 kr 93.079,80 kr
1 080 Beräkning

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Everspin Technologies
Produktkategori: MRAM
RoHS-direktivet:  
TSOP-II-44
Parallel
1 Mbit
128 k x 8
8 bit
35 ns
3 V
3.6 V
25 mA, 55 mA
- 40 C
+ 85 C
MR0A08B
Tray
Märke: Everspin Technologies
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: TW
Fuktkänsliga: Yes
Monteringsstil: SMD/SMT
Pd - Effektavledning: 600 mW
Produkttyp: MRAM
Fabriksförpackningskvantitet: 135
Underkategori: Memory & Data Storage
Handelsnamn: Parallel I/O (x8)
Enhetens vikt: 5,066 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
JPHTS:
8542320312
KRHTS:
8542321040
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.

Everspin MRAM


MR0A08B, MR0D08B, & MR0A16A 1Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR0A08B, MR0D08B, and MR0A16A are 1,048,576-bit magnetoresistive random access memory (MRAM) devices. The Everspin MRAM devices are available in a variety of specifications, such as dual supply, serial SPI, and organized as 131,072 words of 8 bits or 65,536 words of 16 bits. These MRAM devices are as fast 35ns or 45ns read/write timing cycles with no write delays and unlimited read/write endurance.