MSC020SMB120B4N

Name: Microchip MSC020SMB120B4N
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC020SMB120B4N
Price: 155.32 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

579-MSC020SMB120B4N

Tillverk: Nr.:

MSC020SMB120B4N

Tillverk:

Microchip Technology

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar MOSFET SIC 1200 V 20 mOhm TO-247-4 Notch

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

MSC020SMB120B4N Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Microchip Technology MSC020SMB120B4N

På lager: 115

Lager:: 115 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 15 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	155,32 kr	155,32 kr
	143,22 kr	4.296,60 kr
	124,63 kr	14.955,60 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Microchip
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-247-4
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.2 kV
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	97 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	24 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 10 V, 21 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3 V
Qg - Gate-laddning:	136 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	416 W
Kanalläge:	Enhancement
Märke:	Microchip Technology
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Falltid:	9 ns
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Stigtid:	14 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	30
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	31 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	18 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

MSC020SMB120B4N Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

ECCN:: EAR99

1200V SIC MOSFETs

Microchip Technology 1200V SIC MOSFETs offer high efficiency in a lighter, more compact solution. The devices supply low internal gate resistance (ESR), resulting in a fast switching speed. The MOSFETs are simple to drive and easy to parallel, with improved thermal capabilities and lower switching losses.