NSVMUN5213DW1T3G

onsemi
863-NSVMUN5213DW1T3G
NSVMUN5213DW1T3G

Tillverk:

Beskrivning:
Digitala transistorer SS SC88 BR XSTR NPN 50V

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 6 470

Lager:
6 470
Kan skickas omedelbart
På beställningen:
9 981
Fabrikens ledtid:
43
Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 10000)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
2,55 kr 2,55 kr
1,56 kr 15,60 kr
0,979 kr 97,90 kr
0,715 kr 357,50 kr
0,572 kr 572,00 kr
0,506 kr 2 530,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 10000)
0,44 kr 4 400,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
onsemi
Produktkategori: Digitala transistorer
RoHS-direktivet:  
Dual
NPN
47 kOhms
1
SMD/SMT
SOT-363-6
80
50 V
100 mA
250 mW
- 55 C
+ 150 C
MUN5213DW1
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: onsemi
Monteringsland: CN
Distributionsland: MY
Ursprungsland: CN
Temperaturområde: - 55 C to + 150 C
Produkttyp: Digital Transistors
Kvalificering: AEC-Q101
Fabriksförpackningskvantitet: 10000
Underkategori: Transistors
Enhetens vikt: 6,200 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541210000
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

Dual NPN Bipolar Digital Transistors

onsemi Dual NPN Bipolar Digital Transistors are designed to replace a single device and the additional external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors (a series base resistor and a base-emitter resistor). By integrating these individual components into a single device, the BRT on these onsemi NPN Bipolar Digital Transistors simplifies circuit design and eliminates them. A BRT also reduces system cost and board space.