Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

NTTFD9D0N06HLTWG

Name: onsemi NTTFD9D0N06HLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFD9D0N06HLTWG
Price: 26.62 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-NTTFD9D0N06HLTWG

Tillverk: Nr.:

NTTFD9D0N06HLTWG

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

MOSFET:er T8 60V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL

Datablad:

NTTFD9D0N06HLTWG Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NTTFD9D0N06HLTWG

På lager: 1 616

Lager:: 1 616 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 43 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	26,62 kr	26,62 kr
	17,27 kr	172,70 kr
	11,88 kr	1.188,00 kr
	9,75 kr	4.875,00 kr
	9,65 kr	9.650,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	9,20 kr	27.600,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	WDFN-12
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	2 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	60 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	38 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	9 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2 V
Qg - Gate-laddning:	13.5 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	26 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	PowerTrench
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	onsemi
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Produkttyp:	MOSFETs
Serie:	NTTFD9D0N06HL
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NTTFD9D0N06HLTWG Datablad

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Trench8 MOSFETs

onsemi Trench8 MOSFETs feature low maximum ON-resistance (R_DS(ON), ultra-low gate charge (Q_g), and low (Q_g) x R_DS(ON), a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications. Featuring optimized switching performance based on T6 technology, the Trench8 MOSFETs offer a 35% to 40% reduction in Q_g and Q_oss from the Trench6 series. The onsemi Trench8 MOSFETs are available in a wide range of package types for design flexibility. AEC-Q101 Qualified and PPAP capable options are available for automotive applications. Many of these devices are offered in flank-wettable packages enabling automated optical inspection (AOI).

NTTFD4D0N04HL & NTTFD9D0N06HL N-Channel MOSFETs

onsemi NTTFD4D0N04HL and NTTFD9D0N06HL N-Channel MOSFETs are POWERTRENCH® power clip symmetric dual-channel MOSFETs in a WQFN12 package. These devices include two specialized N-Channel MOSFETs in a dual package. The switch node is internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q2) and synchronous MOSFET (Q1) are designed to provide optimal power efficiency. onsemi NTTFD4D0N04HL and NTTFD9D0N06HL N-Channel MOSFETs offer low R_DS(on), low Q_G and capacitance, and low conduction/driver losses. Typical applications include DC-DC converters, general-purpose point of load, single-phase motor drives, computing, and communications